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中瑞祥解析導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀實(shí)驗(yàn)?zāi)康囊约安僮?/div>
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用電流場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>

.知識(shí)準(zhǔn)備

 

1 關(guān)鍵詞:模擬法,靜電場(chǎng),穩(wěn)恒電流場(chǎng),等位線,電力線;

 

2 用模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)分布的原理;

 

3 高斯定律。

 

二.實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>

 

1、學(xué)習(xí)用模擬方法來測(cè)繪具有相同數(shù)學(xué)形式的物理場(chǎng);

 

2、描繪出分布曲線及場(chǎng)量的分布特點(diǎn);

 

3、加深對(duì)各物理場(chǎng)概念的理解;

 

4、初步學(xué)會(huì)用模擬法測(cè)量和研究二維靜電場(chǎng)。

 

三、實(shí)驗(yàn)原理

 

以模擬長同軸圓柱形電纜的靜電場(chǎng)為例)

 

穩(wěn)恒電流場(chǎng)與靜電場(chǎng)是兩種不同性質(zhì)的場(chǎng),但是它們兩者在一定條件下具有相似的空間分布,即兩種場(chǎng)遵守規(guī)律在形式上相似,都可以引入電位U,電場(chǎng)強(qiáng)度

 

E=-▽U,都遵守高斯定律。

 

對(duì)于靜電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度在無源區(qū)域內(nèi)滿足以下積分關(guān)系

 

對(duì)于穩(wěn)恒電流場(chǎng),電流密度矢量在無源區(qū)域內(nèi)也滿足類似的積分關(guān)系

 

由此可見 和在各自區(qū)域中滿足同樣的數(shù)學(xué)規(guī)律。在相同邊界條件下,具有相同的解析解。因此,我們可以用穩(wěn)恒電流場(chǎng)來模擬靜電場(chǎng)。

 

在模擬的條件上,要保證電極形狀一定,電極電位不變,空間介質(zhì)均勻,在任何一個(gè)考察點(diǎn),均應(yīng)有“U穩(wěn)恒=U靜電"或“E穩(wěn)恒=E靜電"。下面具體本實(shí)驗(yàn)來討論這種等效性。

 

1 同軸電纜及其靜電場(chǎng)分布

 

如圖1a)所示,在真空中有一半徑為ra的長圓柱形導(dǎo)體A和一內(nèi)半徑為rb的長圓筒

 

形導(dǎo)體B,它們同軸放置,分別帶等量異號(hào)電荷。由高斯定理知,在垂直于軸線的任一載面S內(nèi),都有均勻分布的輻射狀電場(chǎng)線,這是一個(gè)與坐標(biāo)Z無關(guān)的二維場(chǎng)。在二維場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度E平行于xy平面,其等位面為一簇同軸圓柱面。因此只要研究S面上的電場(chǎng)分布即可。

 

1 同軸電纜及其靜電場(chǎng)分布

 

由靜電場(chǎng)中的高斯定理可知,距軸線的距離為r處(見圖1b)各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度為

 

式中為柱面每單位長度的電荷量,其電位為

 

1

 

設(shè)r=rb時(shí),Ub=0,則有 2

 

代入上式,得 3

 

4

 

2、同柱圓柱面電極間的電流分布

 

若上述圓柱形導(dǎo)體A與圓筒形導(dǎo)體B之間充滿了電導(dǎo)率為的不良導(dǎo)體,A、B與電流電源正負(fù)極相連接(見圖2),A、B間將形成徑向電流,建立穩(wěn)恒電流場(chǎng),可以證明在均勻的導(dǎo)體中的電場(chǎng)強(qiáng)度與原真空中的靜電場(chǎng)的分布規(guī)律是相似的。

 

取厚度為t的圓軸形同軸不良導(dǎo)體片為研究對(duì)象,設(shè)材料電阻率為,則任意半徑rr+dr的圓周間的電阻是

 

5

 

則半徑為rrb之間的圓柱片的電阻為

 

6

 

2 同軸電纜的模擬模型

 

總電阻為(半徑rarb之間圓柱片的電阻)

 

7

 

設(shè)Ub=0,則兩圓柱面間所加電壓為Ua,徑向電流為

 

8

 

距軸線r處的電位為 9

 

則為 10

 

由以上分析可見,Ur與,Er與的分布函數(shù)相同。為什么這兩種場(chǎng)的分布相

 

同呢?我們可以從電荷產(chǎn)生場(chǎng)的觀點(diǎn)加以分析。在導(dǎo)電質(zhì)中沒有電流通過的,其中任一體積元(宏觀小、微觀大、其內(nèi)仍包含大量原子)內(nèi)正負(fù)電荷數(shù)量相等,沒有凈電荷,呈電中性。當(dāng)有電流通過時(shí),單位時(shí)間內(nèi)流入和流出該體積元內(nèi)的正或負(fù)電荷數(shù)量相等,凈電荷為零,仍然呈電中性。因而,整個(gè)導(dǎo)電質(zhì)內(nèi)有電場(chǎng)通過時(shí)也不存在凈電荷。這就是說,真空中的靜電場(chǎng)和有穩(wěn)恒電流通過時(shí)導(dǎo)電質(zhì)中的場(chǎng)都是由電極上的電荷產(chǎn)生的。事實(shí)上,真空中電極上的電荷是不動(dòng)的,在有電流通過的導(dǎo)電質(zhì)中,電極上的電荷一邊流失,一邊由電源補(bǔ)充,在動(dòng)態(tài)平衡下保持電荷的數(shù)量不變。所以這兩種情況下電場(chǎng)分布是相同的。圖3給出了幾種典型靜電場(chǎng)的模擬電極形狀及相應(yīng)的電場(chǎng)分布。

 

 

3 幾種典型靜電場(chǎng)的模擬電極形狀及相應(yīng)的電場(chǎng)分布

 

四.實(shí)驗(yàn)儀器:

 

導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀(包括導(dǎo)電微晶四種電極板,在箱體內(nèi)上下固定,單筆探針),同心圓采用極坐標(biāo),其他電極采用坐標(biāo),電極已直接制作在導(dǎo)電微晶上,并將電極引線直接出到外接線柱上,電極間制作有導(dǎo)電率遠(yuǎn)小于電極且各項(xiàng)均勻的導(dǎo)電介質(zhì)。接通直接電源(10V)就可以進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。在導(dǎo)電微晶上用測(cè)試筆找到測(cè)點(diǎn)后,并坐標(biāo)紙紙上留下一個(gè)對(duì)應(yīng)的標(biāo)記。移動(dòng)測(cè)試筆在導(dǎo)電微晶上找出若干電位相同的點(diǎn),由此即可描繪出等位線。

 

五.實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

 

場(chǎng)強(qiáng)E在數(shù)值上等于電位梯度,方向指向電位降落的方向??紤]到E是矢量,而電位U是標(biāo)量,從實(shí)驗(yàn)測(cè)量來講,測(cè)定電位比測(cè)定場(chǎng)強(qiáng)容易實(shí)現(xiàn),所以可先測(cè)繪等位線,然后根據(jù)電場(chǎng)線與等位線正交的原理,畫出電場(chǎng)線。這樣就可由等位線的間距確定電場(chǎng)線的疏密和指向,將抽象的電場(chǎng)形象的反映出來。

 

1、描繪同軸電纜的靜電場(chǎng)分布

 

1)利用圖2b)所示模擬模型,將導(dǎo)電微晶上內(nèi)外兩電極分別與直流穩(wěn)壓電源的正負(fù)極相連接,電壓表正負(fù)極分別與同步探針及電源負(fù)極相連接,電源電壓調(diào)到10V,將記錄

 

紙鋪在上層平板上,從1 V開始,平移同步探針,用導(dǎo)電微晶上方的探針找到等位點(diǎn)后,按一下記錄紙上方的探針,測(cè)出一系列等位點(diǎn),共測(cè)9條等位線,每條等勢(shì)線上找10個(gè)以上的點(diǎn)。以每條等位線上各點(diǎn)到原點(diǎn)的平均距離為半徑畫出等位線的同心圓簇。然后根據(jù)電場(chǎng)線與等位線正交原理,再畫出電場(chǎng)線,并指出電場(chǎng)強(qiáng)度方向,得到一張完整的電場(chǎng)分布圖。在坐標(biāo)紙上作出相對(duì)電位UR/Ua和的關(guān)系曲線,并與理論結(jié)果比較,再根據(jù)曲線的性質(zhì)說明等位線是以內(nèi)電極中心為圓心的同心圓。

 

若測(cè)出內(nèi)、外兩圓柱形電極和半徑rarb,可以在半對(duì)數(shù)坐標(biāo)紙上把各等勢(shì)(位)線的電勢(shì)(位)與其半徑的關(guān)系進(jìn)行定量分析。

 

2)描繪一個(gè)劈尖電極和一個(gè)條形電極形成的靜電場(chǎng)分布

 

4 劈尖形電極

 

將電源電壓調(diào)到10V,將坐標(biāo)紙鋪在平板上,從1 V開始,測(cè)試筆開始在導(dǎo)電微晶上方找到等位點(diǎn)后,在坐標(biāo)紙上留下一個(gè)對(duì)應(yīng)的標(biāo)記,測(cè)出一系列等位點(diǎn),共測(cè)9條等位線,每條等勢(shì)線上找10個(gè)以上的點(diǎn),附近應(yīng)多找?guī)讉€(gè)等位點(diǎn)。畫出等位線,再作出電場(chǎng)線,做電場(chǎng)線時(shí)要注意:電場(chǎng)線與等位線正交,導(dǎo)體表面是等位面,電場(chǎng)線垂直于導(dǎo)體表面,電場(chǎng)線發(fā)自正電荷而中止于負(fù)電荷,疏密要表示出場(chǎng)強(qiáng)的大小,根據(jù)電極正、負(fù)畫出電場(chǎng)線方向。

 

3、描繪模擬聚焦電極和長平行導(dǎo)線間的電場(chǎng)分布圖。(方法與上面類似,略。)

 

六.思考題

 

1、根據(jù)測(cè)繪所得等位線和電力線分布,分析哪些地方場(chǎng)強(qiáng)較強(qiáng),哪些地方場(chǎng)強(qiáng)較弱?

 

2、從實(shí)驗(yàn)結(jié)果能否說明電極的電導(dǎo)率遠(yuǎn)大于導(dǎo)電介質(zhì)的電導(dǎo)率?如不滿足這條件會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象?

 

3、在描繪同軸電纜的等位線簇時(shí),如何正確確定圓形等位線簇的圓心,如何正確描繪圓形等位線?

 

4、由導(dǎo)電微晶與記錄紙的同步測(cè)量記錄,能否模擬出點(diǎn)電荷激發(fā)的電場(chǎng)或同心圓球殼

 

型帶電體激發(fā)的電場(chǎng)?為什么?

 

5、能否用穩(wěn)恒電流場(chǎng)模擬穩(wěn)定的溫度場(chǎng)?為什么?

 

七.附:實(shí)驗(yàn)儀器使用說明

 

1.儀器簡(jiǎn)介

 

本儀器采用各向均勻?qū)щ姷奈⒕?dǎo)電板,在其上面安置一些不同的金屬電極。當(dāng)有直流電流經(jīng)兩個(gè)電極在導(dǎo)電板上通過時(shí),由于微晶導(dǎo)電板相對(duì)于金屬導(dǎo)體電導(dǎo)率低得多,故在兩個(gè)電極間沿電流線會(huì)存在不同的電勢(shì),這種不同的電勢(shì)可用數(shù)字電壓表直接測(cè)出來。分析各測(cè)量點(diǎn)電勢(shì)的變化規(guī)律,就可間接地得知相似的靜電場(chǎng)中電勢(shì)分布規(guī)律。

 

2使用方法

 

1)接線:

 

靜電場(chǎng)專用穩(wěn)壓電源輸出+(紅)接線柱用紅色電線連接箱體上(紅)、-(黑)接線柱用黑色電線連接箱體上(黑)接線柱。專用穩(wěn)壓電源測(cè)量筆輸入+(紅色)接線柱用紅色電線連接測(cè)量筆連接線柱。并將測(cè)量筆置于導(dǎo)電微晶電極上,啟動(dòng)開關(guān),先校正,后測(cè)量。

 

2)測(cè)量:

 

開啟測(cè)量開關(guān),如數(shù)字顯字為0 V,則移動(dòng)探針架至另一電極上,數(shù)字顯10 V,一般常用10 V,便于運(yùn)算。然后縱橫移動(dòng)探針架,則電源電壓表頭顯示讀數(shù)隨著運(yùn)動(dòng)而變化。如要測(cè)0 V10 V間的任何一條等勢(shì)()線,一般可選0 V10 V間某一電壓數(shù)據(jù)相同的810個(gè)點(diǎn),再將這些點(diǎn)連成光滑的曲線即可得到此等勢(shì)()線。

 

3)記錄:

 

實(shí)驗(yàn)報(bào)告都需要記錄,以備學(xué)生計(jì)算或驗(yàn)證,對(duì)模擬法作深刻研究,則需在描繪架上鋪平白紙,用橡膠磁條吸住,當(dāng)表頭顯示讀數(shù)認(rèn)為需要記錄時(shí),輕輕按一下,即能清晰記下小點(diǎn),一般所需記錄電壓請(qǐng)參閱講義或由任課教師定奪,為實(shí)驗(yàn)清晰快捷,每等位線810點(diǎn),然后連接即可


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